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IT之家 5 月 27 日消息,美國(guó) GaN 技術(shù)廠商 EPC 近日向加州地區(qū)法院和 ITC 提起訴訟,聲稱(chēng)國(guó)產(chǎn) GaN 芯片龍頭英諾賽科侵犯了 EPC 的 4 項(xiàng)專(zhuān)利,并尋求禁售與侵權(quán)賠償。
▲ 圖源:英諾賽科
IT之家在起訴書(shū)中看到,EPC 將矛頭對(duì)準(zhǔn)了兩名曾在該公司任職的高管。EPC 認(rèn)為,其首席技術(shù)官和銷(xiāo)售總監(jiān)加入英諾賽科后不久,英諾賽科便推出了與 EPC 關(guān)鍵性能指標(biāo)幾乎相同的產(chǎn)品。此外,英諾賽科還展開(kāi)了進(jìn)攻性的營(yíng)銷(xiāo)活動(dòng),積極向 EPC 公司的客戶(hù)推銷(xiāo)其產(chǎn)品。
EPC 要求獲得侵權(quán)賠償,并希望能夠禁止英諾賽科公司在美國(guó)銷(xiāo)售涉及侵權(quán)的氮化鎵產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出,若 EPC 最終勝訴,英諾賽科等 GaN 企業(yè)進(jìn)軍國(guó)際市場(chǎng)的策略將不得不做出改變。
英諾賽科成立于 2015 年 12 月,是一家總部位于珠海的 GaN 類(lèi)器件制造商,產(chǎn)品包括高低壓 GaN 電源 IC、功率半導(dǎo)體等,其擁有全球最大的 8 英寸硅基 GaN 晶圓的生產(chǎn)基地。
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