亞洲資本網(wǎng) > 資訊 > 股票 > 正文
半導體龍頭英特爾的7nm芯片未來會支援新一代EUV技術
2019-06-27 11:54:01來源: 電子說

隨著晶圓代工廠臺積電及記憶體廠三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光(EUV)微影技術,并會在2019年進入量產(chǎn)階段,半導體龍頭英特爾也確定正在開發(fā)中的7納米制程會支援新一代EUV技術。

英特爾10納米制程推進不如預期,導致14納米產(chǎn)能供不應求,并造成2018年第四季以來的處理器缺貨問題,預期要等到2019年第二季才會獲得紓解。英特爾日前已宣布將擴大資本支出提升產(chǎn)能,并且預期10納米Ice Lake處理器將在今年第四季量產(chǎn)出貨。

至于英特爾未來制程微縮計劃,據(jù)外電報導,掌管英特爾制程及制造業(yè)務技術及系統(tǒng)架構(gòu)事業(yè)的總裁兼首席工程師Murthy Renduchintala日前指出,10納米制程與2014年訂定的制程標準相同,不論性能、密度、功耗等都保持不變。另外,有了10納米的制程研發(fā)經(jīng)驗,英特爾7納米發(fā)展良好,并將加入新一代EUV微影技術,由于10納米及7納米是由不同團隊開發(fā),7納米EUV制程不會受到10納米制程延遲影響。不過,英特爾未提及7納米何時可進入量產(chǎn)。

據(jù)猜測,英特爾原原計劃10nm后第四年推出,所以就是2020年底,假如真能做到,那么10nm制程將會是最短命的一代制程。

按照估計,Intel可能還要配置多20~40臺ASML的7nm EUV光刻機來達到月產(chǎn)10萬片的能力。(7nm EUV光刻機單臺售價1.2億美元。)

業(yè)界指出,臺積電及三星的7納米EUV制程2019年逐步提升產(chǎn)能,但要開始真正大量進行投片量產(chǎn),應該要等到2020年之后。英特爾的7納米EUV制程要真正進入生產(chǎn)階段,預期也要等到2020年或2021年之后。不過,以三大半導體廠的計劃來看,EUV微影技術將成為7納米及更先進制程的主流。

EUV光刻技術發(fā)展態(tài)勢

光刻(lithography)為集成電路微細化的最關鍵技術。當前在16/14nm節(jié)點乃至10及7nm節(jié)點,芯片制造商普遍還在使用193nm ArF浸潤式光刻機+多重成像技術,但采用多重成像技術后將增加曝光次數(shù),導致成本顯著上升及良率、產(chǎn)出下降等問題。根據(jù)相關企業(yè)的規(guī)劃,在7/5nm節(jié)點,芯片生產(chǎn)將導入極紫外(EUV)光刻技術,EUV光刻使用13.5nm波長的極紫外光,能夠形成更為精細的曝光圖像。芯片廠商計劃將EUV光刻應用到最困難的光刻工序,即金屬1層以及過孔生成工序,而其他大部分工序則仍將延用193nm ArF浸潤式光刻機+多重成像來制作。據(jù)EUV光刻機生產(chǎn)商阿斯麥(ASML)稱,相比浸潤式光刻+三重成像技術,EUV光刻技術能夠?qū)⒔饘賹拥闹谱鞒杀窘档?%,過孔的制作成本降低28%。

EUV光刻的關鍵技術包括EUV光源和高數(shù)值孔徑(NA)鏡頭,前者關乎光刻機的吞吐量(Throughput),后者關乎光刻機的分辨率(Resolution)和套刻誤差(Overlay)能力等。目前,全球EUV光刻機生產(chǎn)基本上由荷蘭阿斯麥公司所壟斷,其最新 NXE:3400B EUV機型,采用245W光源,在實驗條件下,未使用掩膜保護膜(pellicle),已實現(xiàn)每小時曝光140片晶圓的吞吐量;該機型在用戶端的測試中,可達到每小時曝光125片晶圓的吞吐量,套刻誤差2nm;按照阿斯麥公司EUV技術路線規(guī)劃,公司將在2018年底前,通過技術升級使NXE:3400B EUV機型的套刻誤差減小到1.7nm以下,滿足5nm制程的工藝需求;在2019年中,采用250W EUV光源,達到每小時145片晶圓的量產(chǎn)吞吐量;在2020年,推出升級版的NXE:3400C EUV機型,采用250W EUV光源達到155片/時的量產(chǎn)吞吐量。總體上,目前的250W EUV光源已經(jīng)可以滿足7nm甚至5nm制程的要求,但針對下一代的EUV光源仍有待開發(fā)。據(jù)估算,在3nm技術節(jié)點,對EUV光源的功率要求將提升到500W,到了1nm技術節(jié)點,光源功率要求甚至將達到1KW。

高數(shù)值孔徑(High-NA)光學系統(tǒng)方面,由于極紫外光會被所有材料(包括各種氣體)吸收,因此極紫外光光刻必需在真空環(huán)境下,并且使用反射式透鏡進行。目前,阿斯麥公司已開發(fā)出數(shù)值孔徑為0.33的EUV光刻機鏡頭,阿斯麥正在為3nm及以下制程采開發(fā)更高數(shù)值孔徑(NA)光學系統(tǒng),公司與卡爾蔡司公司合作開發(fā)的數(shù)值孔徑為0.5的光學系統(tǒng),預計在2023-2024年后量產(chǎn),該光學系統(tǒng)分辨率(Resolution)和生產(chǎn)時的套刻誤差(Overlay)比現(xiàn)有系統(tǒng)高出70%,每小時可以處理 185 片晶圓。

除光刻機之外,EUV光刻要在芯片量產(chǎn)中應用仍有一些技術問題有待進一步解決,如:光刻膠、掩膜、掩膜保護薄膜(pellicle)。

光刻膠方面,要實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)要求光刻膠的照射反應劑量水平必須不高于20mJ/cm2。而目前要想得到完美的成像,EUV光刻膠的照射劑量普遍需要達到30-40mJ/cm2。在30mJ/cm2劑量水平,250w光源的EUV光刻機每小時吞吐量只能達到90片,顯著低于理想的125片。由于EUV光刻產(chǎn)生的一些光子隨機效應,要想降低光刻膠的照射劑量水平仍需克服一系列挑戰(zhàn)。其中之一是所謂的光子發(fā)射噪聲現(xiàn)象。光子是光的基本粒子,成像過程中照射光光子數(shù)量的變化會影響EUV光刻膠的性能,因此會產(chǎn)生一些不希望有的成像缺陷,比如:線邊緣粗糙(line-edge roughness:LER)等。

光掩膜版,EUV光刻使用鏡面反射光而不是用透鏡折射光,因此EUV光刻采用的光掩膜版也需要改成反射型,改用覆蓋在基體上的硅和鉬層來制作。同時,EUV光刻對光掩膜版的準確度、精密度、復雜度要求比以往更高。當前制作掩膜版普遍使用的可變形狀電子束設備(VSB),其寫入時間成為最大的挑戰(zhàn),解決方案之一是采用多束電子束設備。包括IMS公司、NuFlare公司等已在開發(fā)相關多束電子束產(chǎn)品,多束電子束設備能夠提高光掩膜版制作效率,降低成本,還有助于提高光掩膜版的良率。未來,大部分EUV光掩膜版仍可以使用可變形狀電子束設備來制作,但是對少數(shù)復雜芯片而言,要想保持加工速度,必須使用多束電子束設備。

EUV薄膜,EUV薄膜作為光掩膜的保護層,提供阻隔外界污染的實體屏障,可以防止微塵或揮發(fā)氣體污染光掩膜表面,減少光掩膜使用時的清潔和檢驗。阿斯麥公司已經(jīng)開發(fā)出83%透射率的薄膜,在采用245W光源,測試可達到100 片晶圓/時吞吐量,阿斯麥的目標是開發(fā)出透射率90%的透明薄膜,可承受300W的EUV光源,實現(xiàn)125片晶圓/時的吞吐量。

初期,EUV光刻還是主要應用于高端邏輯芯片、存儲芯片的生產(chǎn),主要芯片企業(yè)已相繼宣布了各自導入EUV光刻的計劃。

關鍵詞: 英特爾 納米

專題新聞
  • 河南最大扶貧搬遷社區(qū)飄起幸?!澳晡秲骸? /></a></li>
                                                    <li><a href=雖說萬物皆可盤 但盤得住時光的才是王牌
  • 霍爾果斯:馮小剛等明星資本大撤離
  • 開心麻花電影頻出
  • 男頻IP為何“武不動乾坤,斗不破蒼穹”
  • 《鐵血戰(zhàn)士》北美市場票房跳水 又玩壞一個大IP?

京ICP備2021034106號-51

Copyright © 2011-2020  資本網(wǎng)   All Rights Reserved. 聯(lián)系網(wǎng)站:55 16 53 8 @qq.com